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电子元器件详细资料 » IC[28732] » SI7911DN-T1-GE3
型号:SI7911DN-T1-GE3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? 1212-8 双描述:MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 PPAK

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 PPAK
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 P 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C51 毫欧 @ 5.7A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs15nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大1.3W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? 1212-8 双
供应商设备封装PowerPAK? 1212-8 Dual
包装剪切带 (CT)

供应商

深圳市品优时代科技有限公司唐0755-23612326
上海鑫丰电子技术有限公司陈小姐 张先生086-021-51875986/51872153
深圳市旺财半导体有限公司李先生86-83209217
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市成鼎业科技有限公司张0755-82769062
深圳市三得电子有限公司销售部13509684848
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
深圳市科恒伟业电子有限公司李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801
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SI7911DN-T1-GE3相关型号

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